Rang terminaison integree

DDR4 Samsung 8Go 2666 Mhz (M378A1K43Cb2-Ctd) Général  Capacité 8 Go Type de mise à niveau Générique    Mémoire  Type DRAM module mémoire Technologie DDR4 SDRAM Format DIMM 288 broches Hauteur du module (en pouces) 1.23 Vitesse 2666 MHz (PC4-21300) Temps de latence CL19 (19-19-19) Vérification de l'Intégrité des Données Non ECC Fonctions Un rang, terminaison intégrée (ODT), Serial Presence Detect (SPD), seize banques, mémoire sans tampon Configuration de module 1024 x 64 Organisation des puces 1024 x 8 Tension 1.2 V

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- 8 Go - 1.2 V - Technologie: DDR4 SDRAM - Vitesse: 2133 MHz (PC4-17000) - Temps de latence: CL14 (14-14-14) - Non ECC Présentation produit: HYPERX Mémoire PC FURY Black - 8Go - DDR4 - 2133MHz - CL14 - DIMM Haut de page ▲ PRODUIT NEUF généralement expédié SOUS 7 jours ouvrables en ENVOI SUIVI. Envoi professionnel bien protégé.   HYPERX Mémoire PC DDR4 FURY Black 8Go 2133MHz CL14 DIMM PUBLICITÉ Informations générales sur le produitNom du produitHYPERX Mémoire PC FURY Black - 8Go - DDR4 - 2133MH CatégorieMÉMOIRE RAM Informations sur le produitMarqueHYPERX GénéralType de mise à niveauGénérique Capacité8 Go MémoireTypeDRAM TechnologieDDR4 SDRAM Vérification de l'Intégrité des DonnéesNon ECC Temps de latenceCL14 (14-14-14) Configuration de module1024 x 64 Hauteur du module (en pouces)1.34 Organisation des puces1024 x 8 Placage du connecteurOr Tension1.2 V Vitesse2133 MHz (PC4-17000) FonctionsUn rang, échangeur thermique noir, terminaison intégrée (ODT), Serial Presence Detect (SPD), carte de circuits imprimés (PCB) noire, dissipateur thermique faible encombrement, dissipateur thermique asymétrique FURY, seize banques, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), mémoire sans tampon Performance RAMSPD - 2133 MHz - 1.2 V - CL14 - 14-14-14 Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0) - 2133 MHz - 1.2 V - CL14 - 14-14-14 FormatDIMM 288 broches DiversCatégorie de couleurNoir Garantie du fabricantService et maintenanceGarantie limitée à vie (Russie - 10 ans)

Barrettes en parfaite état de fonctionnement  Livraison rapide  Informations générales sur le produitNom du produitBarrette Mémoire 4Go RAM DDR3 Micron MT8JTF51264AZ CatégorieMÉMOIRE RAM Informations sur le produitMarqueMICRON GénéralType de mise à niveauGénérique Capacité4 Go MémoireTypeDRAM memory module TechnologieDDR3 SDRAM Vérification de l'Intégrité des DonnéesNon ECC Temps de latenceCL11 (11-11-11) Configuration de module512 x 64 Hauteur du module (en pouces)1.18 Organisation des puces512 x 8 Placage du connecteurOr Tension1.5 V Vitesse1600 MHz (PC3-12800) FonctionsUn rang, huit banques, terminaison intégrée (ODT), Serial Presence Detect (SPD), mémoire sans tampon FormatDIMM 240 broches

Détails techniques Général Capacité 4 Go Type de mise à niveau Générique Largeur 133.35 mm Profondeur 7.08 mm Hauteur 32.8 mm Mémoire Type DRAM module mémoire Technologie DDR3 SDRAM Format DIMM 240 broches Hauteur du module (en pouces) 1.29 Vitesse 1600 MHz (PC3-12800) Temps de latence CL10 (10-10-10) Vérification de l'Intégrité des Données Non ECC Fonctions Un rang, huit banques, dissipateur thermique en aluminium, terminaison intégrée (ODT), carte de circuits imprimés (PCB) noire, dissipateur thermique asymétrique, support calibration ZQ, mémoire sans tampon Configuration de module 512 x 64 Organisation des puces 512 x 8 Tension 1.5 V Placage du connecteur Or Performance RAM SPD - 1066 MHz - 1.5 V - CL7 - 7-7-7 SPD - 1333 MHz - 1.5 V - CL9 - 9-9-9 SPD - 1600 MHz - 1.5 V - CL10 - 10-10-10 Divers Catégorie de couleur Bleu Normes de conformité Plug and Play, JEDEC Référence produit 00201617

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produit Deux rangs, terminaison intégrée (odt), serial presence detect (spd), carte de circuits imprimés (pcb) noire, seize banques, intel extreme memory profiles (xmp 2.0), dissipateur thermique en aluminium noir intense, amd ryzen ready, mémoire sans tampon Générales EAN 0740617322224

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