Velocita scrittura

Chiavetta USB 3.1 8GB argentata con traferimento dati ad alta velocità di lettura e scrittura dei dati.

Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente? L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.   Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.   Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).   Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.   Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).   Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.   L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.   Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.   Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO). CAPACITA SSD:   250 GB INTERFACCE SSD:   Serial ATA III VELOCITA DI LETTURA:   540 MB/s VELOCITA DI SCRITTURA:   520 MB/s DIMENSIONI DI BUFFER DEL DRIVE:   512 MB VELOCITA DI TRASFERIMENTO DATI:   6 Gbit/s RANDOM READ (4KB):   97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) RANDOM WRITE (4KB):   70000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) ALGORITMI DI SICUREZZA SUPPORTATI:   256-bit AES S.M.A.R.T SUPPORT:   Si TRIM SUPPORT:   Si MTBF:   1500000 h INTERNO:   Si DIMENSIONE:   6,35 cm (2.5") COLORE DEL PRODOTTO:   Nero CONSUMO DI ENERGIA (IN LETTURA):   0,1 W CONSUMO DI ENERGIA (IN SCRITTURA):   0,1 W POWER CONSUMPTION (IDLE):   0,045 W INTERVALLO TEMPERATURA DI FUNZIONAMENTO:   0 - 70 C INTERVALLO DI TEMPERATURA:   40 - 85 C UMIDITA:   5 - 95% SHOCK DI NON-FUNZIONAMENTO:   1500 G VIBRAZIONE DI NON-FUNZIONAMENTO:   20 G SISTEMA OPERATIVO WINDOWS SUPPORTATO:   Si LARGHEZZA:   6,99 cm PROFONDITA:   10 cm ALTEZZA:   6,8 mm

Samsung SSD 850 EVO Hard Disk Stato Solido Capacità 250GB 0269982 Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente? L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.   Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.   Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).   Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.   Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).   Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.   L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.   Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.   Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO). CAPACITA SSD:   250 GB INTERFACCE SSD:   Serial ATA III VELOCITA DI LETTURA:   540 MB/s VELOCITA DI SCRITTURA:   520 MB/s DIMENSIONI DI BUFFER DEL DRIVE:   512 MB VELOCITA DI TRASFERIMENTO DATI:   6 Gbit/s RANDOM READ (4KB):   97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) RANDOM WRITE (4KB):   70000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) ALGORITMI DI SICUREZZA SUPPORTATI:   256-bit AES S.M.A.R.T SUPPORT:   Si TRIM SUPPORT:   Si MTBF:   1500000 h INTERNO:   Si DIMENSIONE:   6,35 cm (2.5") COLORE DEL PRODOTTO:   Nero CONSUMO DI ENERGIA (IN LETTURA):   0,1 W CONSUMO DI ENERGIA (IN SCRITTURA):   0,1 W POWER CONSUMPTION (IDLE):   0,045 W INTERVALLO TEMPERATURA DI FUNZIONAMENTO:   0 - 70 C INTERVALLO DI TEMPERATURA:   40 - 85 C UMIDITA:   5 - 95% SHOCK DI NON-FUNZIONAMENTO:   1500 G VIBRAZIONE DI NON-FUNZIONAMENTO:   20 G SISTEMA OPERATIVO WINDOWS SUPPORTATO:   Si LARGHEZZA:   6,99 cm PROFONDITA:   10 cm ALTEZZA:   6,8 mm

Disponibili: 3. SSD 256GB SATA III, velocità di lettura fino a 560MB/s, velocità di scrittura fino a 460MB/s, formato 2.5". VERBATIM. Peso prodotto (g): 75. Capacità: 256GB. Tipo Interfaccia: SATA III. Formato: 2.5". Velocità di lettura: 560 MB/s. Velocità di scrittura: 460 MB/s. Velocità trasmissione: 6000 Mbit/s. Oggetto nuovo e perfetto. Oggetto scontrinabile e/o fatturabile. In confezione originale sigillata. Nostri riferimenti: 020922/001-101122/017-101122/018.

Disponibili: 2. SSD VI550 interno 2.5" SATA III 128 GB Verbatim. 49350. Peso: 75 g. Capacità: 128 GB. Tipo interfaccia: SATA III. Formato: 2.5". Velocità di scrittura: 430 MB/s. Velocità di letture: 560 MB/s. Velocità di trasmissione: 6000 Mbit/s. Oggetto nuovo e perfetto. Oggetto scontrinabile e/o fatturabile. In confezione originale sigillata. Nostri riferimenti: 101122/031-101122/032.

Calcolo della capacità effettiva delle nostre Micro-SD: 256GB = circa 238GB-250GB Class10: velocità di Lettura intorno 15-30 MB/S, velocità di Scrittura intorno 9-12MB/S Il pacchetto include: 1 X scheda di Memoria 1 X imballaggio al dettaglio

Vendo ssd SanDisk esterno da 1TB nuovo, mai aperto in confezione originale. Velocità in lettura e scrittura da 1050 e 1000 MB/s e impermeabilità ip55. Compatibilità USB type C 3.2 Gen 2.

Sandisk extreme SSD nuovo e sigillato Velocità di lettura/scrittura fino a 550 MB/s Resistenza alle cadute da un massimo di due metri Indice di protezione IP55 contro acqua e polvere Crittografia hardware a 256 bit inclusi