SAMSUNG MZ-V7E1T0 M.2 1000 GO PCI EXPRESS 3.0 V-NAND MLC EN FRANCE

SAMSUNG MZ-V7E1T0 M.2 1000 Go PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe Consulter nos évaluations SAMSUNG MZ-V7E1T0 M.2 1000 Go PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe Disponibilité: en stock Référence: MZ-V7E1T0BW Samsung MZ-V7E1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3400 Mo/s, Vitesse d'écriture: 2500 Mo/s, composant pour: PC Caractéristiques Facteur de forme SSD M.2 Capacité du Solid State Drive (SSD) 1000 Go Interface PCI Express 3.0 Type de mémoire V-NAND MLC NVMe Oui composant pour PC Le chiffrement matériel Oui Vitesse de lecture 3400 Mo/s Vitesse d'écriture 2500 Mo/s Version NVMe 1.3 Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES Type de contrôleur Samsung Phoenix Flux de données d'interface PCI Express x4 Support S.M.A.R.T. Oui Support TRIM Oui Temps moyen entre pannes 1500000 h Opal SSC 2.0 Oui TCG Opal 2.0 Oui Conformité RoHS Oui Gestion d'énergie Tension de fonctionnement 3,3 V Consommation électrique (Lecture) 6 W Consommation électrique (Ecriture) 6 W Consommation électrique DevSlp (mode veille) 5 mW Conditions environnementales Température d'opération 0 - 70 °C Vibrations hors fonctionnement 20 G Choc durant le fonctionnement 1500 G Choc hors fonctionnement 1500 G Poids et dimensions Largeur 80,2 mm Profondeur 22,1 mm Hauteur 2,38 mm Autres caractéristiques Couleur du produit Noir Date de lancement 4/16/2018